在連續(xù) 3 年增長(zhǎng)之后，全球 NAND 閃存行業(yè)的資本支出，在今年將繼續(xù)增加，并會(huì)創(chuàng)下新高。
從研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)來(lái)看，全球 NAND 閃存行業(yè)今年的資本支出，將達(dá)到 299 億美元，較去年的 277 億美元增加 22 億美元，同比增長(zhǎng) 8%。
同比繼續(xù)增長(zhǎng)，也就意味著全球 NAND 閃存行業(yè)今年的資本支出，將超過(guò) 2018 年的 278 億美元，創(chuàng)下新高。
研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中指出，2017 年開(kāi)始，全球閃存行業(yè)開(kāi)始向 3D NAND 閃存過(guò)渡，這也推動(dòng)行業(yè)的資本支出大幅增加，2017 年增至 272 億美元，同比增長(zhǎng)高達(dá) 89%，隨后一年增速放緩，但仍增長(zhǎng)了 2%，達(dá)到 278 億美元。
雖然 2019 年全球 NAND 閃存行業(yè)的營(yíng)收同比大幅下滑，但仍在 200 億美元之上，延續(xù)了 2017 年之后超過(guò) 200 億美元的趨勢(shì)。
值得注意的是，在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)期中，今年全球 NAND 閃存行業(yè) 8% 的資本支出增速，明顯低于去年的 13%，較 2020 年的 9% 也有放緩，明年的增速，可能會(huì)繼續(xù)放緩。
關(guān)鍵詞： 研究機(jī)構(gòu) 資本支出 繼續(xù)增加 創(chuàng)下新高
